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J-GLOBAL ID：201102221618235480   整理番号：11A0279365

広範囲および局所Ge-チャネル技術を用いたp-MOSFETの正孔移動度強化

Hole mobility enhancement of p-MOSFETs using global and local Ge-channel technologies

著者 (8件)： TAKAGI S ,  TEZUKA T ,  IRISAWA T ,  NAKAHARAI S ,  MAEDA T ,  NUMATA T ,  IKEDA K ,  SUGIYAMA N
資料名： MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY
巻： 135  号： 3  ページ： 250-255  発行年： 2006年 
JST資料番号： O4522A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge ,  チャネル ,  MOSFET ,  正孔移動度 ,  強化