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J-GLOBAL ID：201102222005346188   整理番号：11A1202706

高電流パルス電子ビームが誘発する単結晶銅の表面上の構造欠陥

Structural defects on the surface of single-crystal copper induced by a high-current pulsed electron beam

著者 (7件)： Gu Qianqian (Coll. of Material Sci. and Engineering, Jiangsu Univ., Zhenjiang) ,  Wang Xuetao (Coll. of Material Sci. and Engineering, Jiangsu Univ., Zhenjiang) ,  Zhu Jian (Coll. of Material Sci. and Engineering, Jiangsu Univ., Zhenjiang) ,  Qiu Donghua (Coll. of Material Sci. and Engineering, Jiangsu Univ., Zhenjiang) ,  Cheng Xiuwei (Coll. of Material Sci. and Engineering, Jiangsu Univ., Zhenjiang) ,  Guan Qingfeng (Coll. of Material Sci. and Engineering, Jiangsu Univ., Zhenjiang) ,  Chu Jinyu (School of The Environment , Jiangsu Univ., Zhenjiang)
資料名： Harbin Gongcheng Daxue Xuebao  (Harbin Gongcheng Daxue Xuebao)
巻： 31  号： 4  ページ： 533-536  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1512A  ISSN： 1006-7043  CODEN： HGHPF2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 高速変形が誘発する金属の微細構造の変化を研究するため,単結晶銅に高電流パルス電子ビーム(HCPEB)によって照射を行い,透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて照射した銅の微細構造を解析した。断層スリップによって形成される断層細胞が,照射中心周辺の支配的欠陥であることが判明した。他方で,豊富な空格子点クラスタが照射中心から遠い区域に現れ,その中で,断層スリップは観察されなかった。照射した銅の構造特性に基づき,HCPEB照射によって誘発する使用可能な変形機構を考慮した。HCPEB照射に起因する急速冷暖房が誘発する高い応力と歪速度が,全体{111}原子平面の移動を同期的に引き起こす場合があることを唱えた。これは,多数の空格子点欠陥クラスタの構造にとって最有望の機構である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： 電流 ,  *電子ビーム ,  単結晶 ,  格子欠陥 ,  構造 ,  銅 ,  微細構造 ,  歪速度 ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： 電流パルス ,  構造欠陥

分類 (1件)： 電子ビーム,イオンビーム  (BD02030F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高電流 ,  パルス電子ビーム ,  誘発 ,  単結晶 ,  銅 ,  構造欠陥