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J-GLOBAL ID：201102222017603135   整理番号：11A0925838

低い動的オン抵抗をもつ1200VノーマリーオフSi上GaN電界効果トランジスタ

1200-V Normally Off GaN-on-Si Field-Effect Transistors With Low Dynamic ON-Resistance

著者 (8件)： CHU Rongming (HRL Lab., CA, USA) ,  CORRION Andrea (HRL Lab., CA, USA) ,  CHEN Mary (HRL Lab., CA, USA) ,  LI Ray (HRL Lab., CA, USA) ,  WONG Danny (HRL Lab., CA, USA) ,  ZEHNDER Daniel (HRL Lab., CA, USA) ,  HUGHES Brian (HRL Lab., CA, USA) ,  BOUTROS Karim (HRL Lab., CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 32  号： 5  ページ： 632-634  発行年： 2011年05月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代のパワースイッチングデバイスを目指して,複数のフィールドプレートを備えたノーマリオフ動作のGaN FETをSiウエハ上に作製した。Fベースプラズマで処理して閾値を負から正にシフトさせることによってノーマリオフ動作を実現し,Clベースプラズマ処理によって相互コンダクタンスと閾値ヒステリシスを改善した。ゲート漏れ電流を低減するためにAl₂O₃絶縁ゲートを原子層堆積によって形成した。複数のフィールドプレートを導入し,一つをゲート電極に接続し,二つをソース電極に接続することによって,1200Vの高い絶縁破壊電圧と高電圧動作で低い動的オン抵抗を達成した。

シソーラス用語： オン抵抗 ,  *窒化ガリウム ,  ウエハ【IC】 ,  アルミニウム化合物 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *回路特性 ,  スイッチ ,  電力トランジスタ ,  プラズマ処理 ,  閾値 ,  相互コンダクタンス ,  ヒステリシス ,  漏れ電流 ,  電圧 ,  高電圧
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  *Siウエハ ,  *ノーマリーオフ動作 ,  パワースイッチ ,  フィールドプレート ,  絶縁破壊電圧 ,  動的オン抵抗

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： オン抵抗 ,  ノーマリーオフ ,  Si ,  GaN ,  電界効果トランジスタ