洗浄プロセス不要の新接触プローブ

KIMOTO Gunsei; WATANABE Takehiro; MATSUSAKA Souta; INOUE Akio; KURODA Takaharu

文献

J-GLOBAL ID：201102223028774795 整理番号：11A0162490

洗浄プロセス不要の新接触プローブ

A New Contact Probe without Cleaning Process

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資料名：
巻： 3 号： 1 ページ： 91-96 発行年： 2010年12月24日
JST資料番号： L7297A ISSN： 1883-3365 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

半導体ウエハ試験中プローブとパッドとの相互接触後,プローブ先端またはパッド表面上に蓄積した塵埃粒を除去するため,洗浄方法が必要であり,その表面上酸化膜の除去のため,スクラッビング洗浄が効率的方法である。しかし,過剰なスクラッビングはプローブの機械的性質を劣化させ,過剰な塵埃の蓄積とパッド表面の塑性変形不良を招く。スクラッビングによる水平変位を最小化するため,パッド表面上プローブ先端の垂直変位のみを可能にする,洗浄プロセス不要の新接触プローブを開発した。ベリリウム-銅合金を用いて,このプローブを作製し,2梁構造により特性評価した。カンチレバー梁構造などの従来型接触プローブの構造と比較して,開発した2梁構造プローブは多数の利点を持っている。特に,新プローブは,フレキシブルなオーバドライブ,制御可能接触力と無視できる擦り運動を含む,一定条件下での接触プローブの性能改善を保証可能である。さらに,電気接触抵抗の維持など最適電気性能を得ることができた。2梁構造プローブにより,接触力が特定限界範囲内であり,擦りに対する水平変位を最小にした場合,安定した電気接触抵抗を確実にすることを示した。さらに,パッド表面上に蓄積した塵埃粒の量は無視でき,次の接触前に接触プローブとパッド表面間の洗浄は不要であった。以上の実験結果,洗浄不要の接触プローブの開発に成功し,近未来の接触プローブの設計の大幅な進展への道を開いた。

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固体デバイス材料

引用文献 (9件)：

International Technology Roadmap for Semiconductors, edition 2009, http://www.itrs.net/Links/2009ITRS/2009Chapters_2009Tables/2009_Test.pdf, pp. 42-48.
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T. Ishida, “Development of MEMS Probe Module,”Study on Contact with Al Electrode.
Y. Zhang, Y. Zhang, D. Worsham, D. Morrow, and R. B. Marcus, “A new MEMS wafer probe card, Proceedings of the 10th International Workshop on Micro Electro Mechanical Systems,”Nagoya, Japan (1997), pp. 395-399.
C. Tsou, S. Huang, H. Li, and T. Lai, “Design and fabrication of Electroplating Nickel Micromachined Probe with out-of-plane pre-deformation,”Journal of Pysics, Vol.34, pp. 95-100, 2006

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