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J-GLOBAL ID：201102223256723629   整理番号：11A1506618

機能性ゲート絶縁層を用いた不揮発性有機メモリー

著者 (4件)： 村田英幸 (北陸先端科学技術大学院大) ,  矢島覚 (北陸先端科学技術大学院大) ,  今野広大 (北陸先端科学技術大学院大) ,  酒井平祐 (北陸先端科学技術大学院大)
資料名： 半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集  (Proceedings of the Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology)
巻： 75th  ページ： 63-66  発行年： 2011年07月07日 
JST資料番号： F0108B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 酸化膜 ,  ゲート【半導体】 ,  絶縁膜 ,  *不揮発性メモリ ,  FET【トランジスタ】 ,  *高分子薄膜 ,  有機半導体 ,  ゲート絶縁膜 ,  化成皮膜
準シソーラス用語： OFET

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 機能性 ,  ゲート ,  絶縁層 ,  不揮発性 ,  メモリー