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J-GLOBAL ID：201102223867789986   整理番号：11A1701235

1セレクタ-1抵抗(1S1R)クロスバーアレイ用途のためのバイポーラ非線形Ni/TiO₂/Niセレクタ

Bipolar Nonlinear Ni/TiO₂/Ni Selector for 1S1R Crossbar Array Applications

著者 (4件)： HUANG Jiun-Jia (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  TSENG Yi-Ming (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HSU Chung-Wei (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HOU Tuo-Hung (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 32  号： 10  ページ： 1427-1429  発行年： 2011年10月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗スイッチング(RS)をベースとするクロスバアレイアーキテクチャはその究極的スケーリング可能性のため,次世代の不揮発性メモリや再構成可能論理回路と見られている。本研究では高密度1S1Rクロスバーアレイ用の高非線形I-V特性を持つNi/TiO₂/Ni MIM構造を提案した。この非線形性はNi/TiO₂界面におけるSchottky障壁に起因する。HfO₂RS素子と直列なセレクタはロバストで安定なバイポーラRSを示し,効果的に漏えい電流を抑制でき,大型メガビット寸法アレイの実装が可能となる。

シソーラス用語： *酸化チタン ,  不揮発性メモリ ,  ニッケル ,  非線形系 ,  論理回路 ,  MIM構造 ,  Schottky障壁 ,  *通信交換
準シソーラス用語： *クロスバ交換 ,  *セレクタ ,  バイポーラ記憶回路

分類 (2件)： 論理回路  (NC05070B) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： セレクタ ,  クロスバー ,  アレイ ,  用途 ,  バイポーラ ,  非線形 ,  Ni ,  TiO2