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J-GLOBAL ID：201102224892831268   整理番号：11A0132068

塩素活性化の多結晶テルル化カドミウム層の総括的光ルミネセンス研究

Comprehensive photoluminescence study of chlorine activated polycrystalline cadmium telluride layers

著者 (7件)： KRAFT C. (Inst. fuer Festkoerperphysik, Universitaet Jena, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena, DEU) ,  METZNER H. (Inst. fuer Festkoerperphysik, Universitaet Jena, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena, DEU) ,  HAEDRICH M. (Inst. fuer Festkoerperphysik, Universitaet Jena, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena, DEU) ,  REISLOEHNER U. (Inst. fuer Festkoerperphysik, Universitaet Jena, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena, DEU) ,  SCHLEY P. (Inst. fuer Physik, Technische Universitaet Ilmenau, 98684 Ilmenau, DEU) ,  GOBSCH G. (Inst. fuer Physik, Technische Universitaet Ilmenau, 98684 Ilmenau, DEU) ,  GOLDHAHN R. (Inst. fuer Experimentelle Physik, Universitaet Magdeburg, 39016 Magdeburg, DEU)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 12  ページ： 124503  発行年： 2010年12月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 温度依存性およびパワー依存性の光ルミネセンス(PL)測定を用いて,種々の塩素を含む化合物で活性化した密閉空間昇華成長の多結晶テルル化カドミウム層における欠陥を研究した。試料は成長直後あるいは,塩化カルシウム,塩酸と塩化ナトリウムの様な塩素を含む化合物を用いて酸素を含む雰囲気中の熱処理後に測定した。後堆積処理により誘起されたPLスペクトルの変化を示すために,成長直後の試料を詳細に論じた。カドミウム空孔に相関できる成長直後の試料に1.32eVに深準位遷移が観察された。後堆積処理によりこの深準位遷移が消失しA中心と相間した広い帯域が約1.43eVに代わりに生じた。成長直後の試料中の1.479eVにおける別の遷移帯は,後堆積処理により影響されない。さらに対応する試料について太陽電池処理をすることにより,PL結果を太陽電池パラメータに関係付けられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *多結晶 ,  *テルル化カドミウム ,  化合物半導体 ,  *光ルミネセンス ,  温度依存性 ,  昇華 ,  *格子欠陥 ,  *熱処理 ,  塩素 ,  塩化カルシウム ,  塩酸 ,  塩化ナトリウム ,  空格子点 ,  *雰囲気
準シソーラス用語： 空孔【点欠陥】

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 塩素 ,  活性化 ,  多結晶 ,  テルル化カドミウム ,  光ルミネセンス ,  研究