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J-GLOBAL ID:201102225228041035   整理番号:11A1000239

高性能溶液処理されたケステライト太陽電池に向かう経路

The path towards a high-performance solution-processed kesterite solar cell
著者 (5件):
資料名:
巻: 95  号:ページ: 1421-1436  発行年: 2011年06月 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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太陽エネルギー変換のワットあたりのコストを低減する点での薄膜Cu(In,Ga)(S,Se)2(CIGSSe)黄銅鉱とCdTeの光起電性技術の有望性にもかかわらず,これらのアプローチは,高くつく,そして/あるいは地殻(例えば,In,Ga,Te)中に稀,あるいは毒性問題(例えば,Cd)を呈する要素に依存し,その結果,潜在的に,将来のコスト削減と生産成長に関して,これら技術を,かなり制限している。本当に,テラワット展開と釣り合う光起電性技術を開発するために,毒性が低く低コストの元素を採用しながら,一方で,太陽スペクトルにわたる適切なダイレクトバンドギャップ同調性,,高い装置性能(例えば,>10%の電力変換効率及び低コスト製造への適合性の関して,)調整能力材料系を考慮することが望ましく,適切なダイレクトバンドギャップの同調性に関して黄銅鉱とCdTe材料の利点を維持する,材料系を考慮することが望ましい。このレビューでは,CIGSSeからのインジウムとガリウムが既に利用可能な亜鉛とスズで置換されている,ケステライトベースのCu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)薄膜太陽電池の開発は再レビューされることになる。真空蒸着の装置が,組成的相空間の最適化を可能にし,6.8%の高い効率の無セレニウムのCZTS装置効率を産み出し,さらに最近では,9.7%の電力変換効率のCZTSSe装置の蒸着を可能にし,商業的有望と関心がある範囲のケステライトベースの技術をもたらすことを,説明している。これらの高性能CZTSSeセルに関する電気特性研究は,セル性能を制限するいくつかの主要な損失メカニズム(例えば,優位な界面再結合,高い直列抵抗,および低いマイナーキャリア寿命)を明らかにしている。長期的なの装置安定性の理解の構築と同様に,これらのメカニズムの一層の解明が,この比較的新しい技術を,前に推進するのを支援するのに必要とされる。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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太陽電池 
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