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J-GLOBAL ID：201102225393703301   整理番号：11A1180035

HEV応用用極薄400V FS IGBT

Ultrathin 400V FS IGBT for HEV applications

著者 (4件)： BOEVING Heike (Infineon Technol., Neubiberg, DEU) ,  LASKA Thomas (Infineon Technol., Neubiberg, DEU) ,  PUGATSCHOW Anton (Infineon Technol., Villach, AUT) ,  JAKOBI Waldemar (Infineon Technol., Warstein, DEU)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 23rd  ページ： 64-67  発行年： 2011年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 120Vから200VのDCリンク電圧を用いた電気自動車とハイブリッド電気自動車(HEV)用に,40μm薄型ウエハ技術に基づく400V電界阻止絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(FS IGBT)とフリーホイールダイオード(FWD)を開発した。世界で最初の40μmの極薄IGBT試作品の静的と動的特性の評価結果から,オン状態とスイッチング損失は直接チップ厚に依存するため,70μmチップ厚をもつ標準650V素子と比較して,総損失の低減を明らかに示した。また,この極薄新素子は,最大許容破壊電圧を超える電圧オーバーシュートを生じるスイッチング中超高dI/dtを示した。この理由により,新素子の高速スイッチング挙動を利用するため,可能な限り小総浮遊インダクタンスを必要とする。dI/dtを33nHの総浮遊インダクタンスに適応し,同時に損失を低減することにより,IGBTとダイオードのスイッチング挙動を最適化できたIGBTとダイオードのオン状態電圧を約200mV低減できた。さらに,標準の600V素子と比較して,ターンオフエネルギーを10%低減し,ターンオン中IGBTとダイオードの総損失を約10%低減できた。IGBTチップ開発の傾向は,さらに損失を低減し,高速スイッチング挙動を得ることである。そのため,浮遊インダクタンスの低減がモジュール開発の原動力になる必要がある。モジュールの浮遊インダクタンスへのdI/dtの適応化と高速スイッチング素子の最適化が益々重要になり,チップ厚の薄型化との同時実現は困難になる。

シソーラス用語： *超薄膜 ,  *IGBT ,  *ハイブリッド自動車 ,  ウエハ【IC】 ,  電気自動車 ,  スイッチング損失 ,  エネルギー損失 ,  パルス特性 ,  *ターンオフ ,  ターンオン ,  静特性 ,  動特性 ,  *スイッチング素子

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電気自動車  (QG07020B)

タイトルに関連する用語 (3件)： HEV ,  応用 ,  IGBT