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J-GLOBAL ID：201102226166397420   整理番号：11A0102332

La_0.67Sr_0.33MnO₃薄膜に基づく電場効果デバイスの室温近傍での磁化の制御

Near-room-temperature control of magnetization in field effect devices based on La_0.67Sr_0.33MnO₃ thin films

著者 (4件)： BRIVIO S. (Dipartimento di Fisica, L-NESS and CNISM, Politecnico di Milano, via Anzani 42, 22100 Como, ITA) ,  CANTONI M. (Dipartimento di Fisica, L-NESS and CNISM, Politecnico di Milano, via Anzani 42, 22100 Como, ITA) ,  PETTI D. (Dipartimento di Fisica, L-NESS and CNISM, Politecnico di Milano, via Anzani 42, 22100 Como, ITA) ,  BERTACCO R. (Dipartimento di Fisica, L-NESS and CNISM, Politecnico di Milano, via Anzani 42, 22100 Como, ITA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 11  ページ： 113906  発行年： 2010年12月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代スピントロニクスへの応用の観点から,電場による強磁性層の磁化の制御はホットな話題である。混合価数からなるMn酸化物は,電場によって調節できる電荷秩序/ドーピングと強磁性間の魅惑的な結合を有するので,そのような目的に対してよい候補材料である。本論では,La_0.67Sr_0.33MnO₃超薄膜の垂直電場による室温近傍での磁化の制御について示した。電界破壊を避けた最大電場である5×10⁷V/mの電場を印加した場合,キュリー点がわずか(~5K)に減少した。これはトーマスフェルミ遮蔽長内の電荷密度および混合価数の変動に相当する値である。これらの結果は,垂直電場効果デバイスで得られる電場は,La_0.67Sr_0.33MnO₃膜の磁気特性にわずかな影響しか及ぼさないことを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸素酸塩 ,  *マンガン化合物 ,  ランタン化合物 ,  ストロンチウム化合物 ,  *電場効果 ,  *磁化 ,  Curie温度

分類 (1件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  電場効果 ,  室温 ,  近傍 ,  磁化