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J-GLOBAL ID：201102226425255558   整理番号：11A1490992

Si表面修飾の最適化によるDBTTF薄膜の成長制御

著者 (5件)： 土田裕也 (北大 大学院) ,  大伴真名歩 (原研) ,  長浜太郎 (北大 大学院) ,  米沢徹 (北大 大学院) ,  島田敏宏 (北大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 72nd  ページ： ROMBUNNO.30A-V-9  発行年： 2011年08月16日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *有機半導体 ,  *半導体材料 ,  *成長調節 ,  薄膜成長 ,  島状構造 ,  表面ステップ ,  電子状態 ,  ケイ素 ,  表面改質
準シソーラス用語： *DBTTF

分類 (1件)： 有機化合物の結晶成長  (BK13070E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  表面修飾 ,  最適化 ,  薄膜 ,  成長制御