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J-GLOBAL ID：201102226745777340   整理番号：11A1159923

超格子相変化メモリの第一原理コンピュータシミュレーションと実素子特性

The first Principle Computer Simulation and Real Device Characteristics of Superlattice Phase-Change Memory

著者 (4件)： TOMINAGA J. (National Inst. Advanced Industrial Sci. & Technol.(AIST), Tsukuba, JPN) ,  SIMPSON R. (National Inst. Advanced Industrial Sci. & Technol.(AIST), Tsukuba, JPN) ,  FONS P. (National Inst. Advanced Industrial Sci. & Technol.(AIST), Tsukuba, JPN) ,  KOLOBOV A. (National Inst. Advanced Industrial Sci. & Technol.(AIST), Tsukuba, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010  ページ： 528-531  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相変化ランダムアクセスメモリ(PCRAM)は,次世代の不揮発性固体メモリになると予想される。スイッチングエネルギーの抑制およびセット/リセット時における合成膜の使用よりも速度の高速化を可能にする原子制御Ge-Sb-Te膜について述べた。熱力学の第2法則によりスイッチングエネルギーを低減するため,超格子PCRAMメモリの新スイッチングモデルを提案した。NVT総合動力学を用いた第一原理コンピュータシミュレーションとそのモデルに基づく実素子の作製を行った。[(GeTe)_x/(Sb₂Te₃)_y]からなるメタ材料構造を設計し,PCRAM素子上に実験的に作製した。メタ材料により,エントロピーモデルと一致した顕著なスイッチングエネルギー効率の持続的改善を得ることを実験により確認した。得た実験データは,シミュレーションモデルと良く一致することを示すとともに,リセットエネルギーを10%以下抑制することに成功した。

シソーラス用語： 第一原理 ,  *計算機シミュレーション ,  *超格子 ,  *不揮発性メモリ ,  *相転移 ,  熱力学 ,  分子動力学 ,  局所密度汎関数法 ,  人工材料 ,  PRAM【メモリ】
準シソーラス用語： LSDA【近似法】 ,  PCRAM ,  メタマテリアル ,  相変化メモリ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 超格子 ,  相変化メモリ ,  第一原理 ,  コンピュータシミュレーション ,  素子特性