文献

J-GLOBAL ID：201102226751323881   整理番号：11A0915718

磁気メモリ試験における磁区への応力効果の実験研究

An experimental research of the effects of stress upon the magnetic domains in magnetic memory testing

著者 (5件)： REN Jilin (Nanchang Hangkong Univ., Nanchang, CHN) ,  PAN Qianghua (Nanchang Hangkong Univ., Nanchang, CHN) ,  YANG Sheng (Nanchang Hangkong Univ., Nanchang, CHN) ,  CHEN Chen (Nanchang Hangkong Univ., Nanchang, CHN) ,  TANG Jihong (Nanchang Hangkong Univ., Nanchang, CHN)
資料名： International Journal of Applied Electromagnetics and Mechanics  (International Journal of Applied Electromagnetics and Mechanics)
巻： 33  号： 3/4  ページ： 1143-1148  発行年： 2010年 
JST資料番号： W0272A  ISSN： 1383-5416  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 磁気メモリ ,  試験 ,  磁区 ,  応力効果 ,  実験 ,  研究