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J-GLOBAL ID：201102227575849134   整理番号：11A0472031

ケイ素の金属援助化学エッチング 総説

Metal-Assisted Chemical Etching of Silicon: A Review

著者 (6件)： HUANG Zhipeng (Max Planck Inst. Microstructure Physics, Halle, DEU) ,  HUANG Zhipeng (Jiangsu Univ., Zhenjiang, CHN) ,  GEYER Nadine (Max Planck Inst. Microstructure Physics, Halle, DEU) ,  WERNER Peter (Max Planck Inst. Microstructure Physics, Halle, DEU) ,  DE BOOR Johannes (Max Planck Inst. Microstructure Physics, Halle, DEU) ,  GOESELE Ulrich (Max Planck Inst. Microstructure Physics, Halle, DEU)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 23  号： 2  ページ： 285-308  発行年： 2011年01月11日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属援助化学エッチング(MACE)によるケイ素ナノ構造の作製について総説した。機構,要因,ケイ素およびSiGeナノ構造,応用,他の半導体への適用について説明した。A.序論 B.方法および機構 B1.歴史および基本的現象 B2.反応 B3.正孔注入および金属の役割 B4.物質移動 B5.全体のエッチング過程 C.エッチングにおよぼす貴金属の影響 C1.貴金属の堆積法 C2.金属タイプ C3.金属形状および金属間距離 C4.エッチングにおける形状変化および金属粒子移動 C5,貴金属粒子間相互作用 D.腐食剤がエッチングにおよぼす影響 D1.酸化剤のタイプ D2.腐食剤濃度 D3.腐食剤の拡散 E.温度および光照射がエッチングにおよぼす影響 F.ケイ素基板の固有特性がエッチングにおよぼす影響 F1.配向 F2.ドーピングタイプおよびドーピングレベル G.テンプレートを用いるMACE G1.ナノ球リソグラフィー法 G2.アノード酸化アルミナ(AAO)マスク法 G3.干渉リソグラフィー法 G4.ブロック共重合体マスク法 G5.ナノ球リソグラフィー法に基づく他の構造 H.他の半導体のMACE I.MACEによる構造の応用 J.まとめおよび未解決の問題。

シソーラス用語： ケイ素 ,  *エッチング ,  ナノ構造 ,  ウエハ【IC】 ,  *フッ化水素 ,  *フッ化ケイ素 ,  *過酸化水素 ,  *貴金属 ,  キャリア注入 ,  形状効果 ,  サイズ効果 ,  結晶面 ,  鋳型反応 ,  リソグラフィー ,  酸化アルミニウム ,  ドーピング
準シソーラス用語： アノード酸化アルミニウム ,  ケイ素基板 ,  テンプレート【鋳型反応】 ,  ナノ球リソグラフィー ,  *金属援助化学エッチング ,  正孔注入

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固-液界面  (CB12050B) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (4件)： ケイ素 ,  援助 ,  化学エッチング ,  総説