反転したメタモルフィック太陽電池に応用する有機金属化学蒸着によりGaAs基板上の高品質1eV In<sub>0.3</sub>Ga<sub>0.7</sub>As

NGUYEN Hong Quan; CHANG Edward Yi; YU Hung Wei; LIN Kung Liang; CHUNG Chen Chen

文献

J-GLOBAL ID：201102227909967958 整理番号：11A1257576

反転したメタモルフィック太陽電池に応用する有機金属化学蒸着によりGaAs基板上の高品質1eV In_0.3Ga_0.7As

High-Quality 1 eV In_0.3Ga_0.7As on GaAs Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition for Inverted Metamorphic Solar Cell Application

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資料名：
巻： 4 号： 7 ページ： 075501.1-075501.3 発行年： 2011年07月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

様々な不整方位のGaAs(001)基板上へステップ勾配付きバッファ層を使って,In_0.3Ga_0.7As層を有機金属化学蒸着により成長させた。平均2乗根粗さが1.9nmの滑らかな表面のIn_0.3Ga_0.7As膜が490°Cの成長温度で10ステップの勾配付き放物線状インジウムバッファを使って,[111]方向へ6°傾斜してカットした表面上で得られた。透過型電子顕微鏡法により,膜中の貫通転位密度は1.2×10⁶cm^-2と決定した。300Kと77Kで得た光ルミネセンスの結果は,このエピ層には非常に低い再結合中心しか存在しないことを示す。(翻訳著者抄録)

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半導体薄膜

引用文献 (15件)：

LAW, D. C. Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2010, 94, 1314
JACKREL, D. B. J. Appl. Phys. 2007, 101, 114916
KURTZ, S. R. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 400
GUTER, W. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 223504
GEISZ, J. F. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 023502

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反転したメタモルフィック太陽電池に応用する有機金属化学蒸着によりGaAs基板上の高品質1eV In0.3Ga0.7As

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