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J-GLOBAL ID：201102228647679367   整理番号：11A0102138

銅/硫化銅の二層のソース-ドレイン電極をベースにした高性能の有機電界効果トランジスタ

High-performance organic field-effect transistors based on copper/copper sulphide bilayer source-drain electrodes

著者 (5件)： GU Wen (Key Lab. of Advanced Display and System Application (Shanghai University), Ministry of Education, Shanghai 200072 ...) ,  JIN Weipeng (Key Lab. of Advanced Display and System Application (Shanghai University), Ministry of Education, Shanghai 200072 ...) ,  WEI Bin (Key Lab. of Advanced Display and System Application (Shanghai University), Ministry of Education, Shanghai 200072 ...) ,  ZHANG Jianhua (Key Lab. of Advanced Display and System Application (Shanghai University), Ministry of Education, Shanghai 200072 ...) ,  WANG Jun (Key Lab. of Advanced Display and System Application (Shanghai University), Ministry of Education, Shanghai 200072 ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 24  ページ： 243303  発行年： 2010年12月13日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ソース-ドレイン電極として銅(Cu)と硫化銅(Cu_xS)を用いる有機電界効果トランジスタ(OFET)を示す。Cu/Cu_xSを用いるOEFTにより,金電極を用いる従来の素子と比較して,5倍電界効果移動度が高くなり,しきい電圧が12V低下した。デバイス性能の改良は,電荷注入の増強に起因する。X線光電子分光法により硫酸イオンが堆積中形成され,これが改良の原因と考察された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *銅 ,  *硫化銅 ,  *電極 ,  キャリア移動度 ,  電圧 ,  X線光電子分光法
準シソーラス用語： *有機電界効果トランジスタ ,  閾電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 銅 ,  硫化銅 ,  二層 ,  ソース ,  ドレイン ,  高性能 ,  有機電界効果トランジスタ