文献

J-GLOBAL ID：201102228652289550   整理番号：11A1792989

Ga₅Se₉₅膜の構造と光学特性に対するアニーリングの効果

Effect of annealing on structure and optical properties of Ga₅Se₉₅ films

著者 (3件)： EL-NAHASS M.m. (Physics Dep., Fac. of Education, Ain Shams Univ., Cairo, Egypt) ,  ZEDAN I.t. (Basic Sci. Dep., High Inst. of Engineering and Technol., El-Arish, North Sinai, Egypt) ,  ABU-SAMAHA F.s. (Physics Dep., Fac. of Engineering, Port-Said Univ., Port-Said, Egypt)
資料名： Optics & Laser Technology  (Optics & Laser Technology)
巻： 44  号： 3  ページ： 621-625  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： D0245B  ISSN： 0030-3992  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二元化合物Ga₅Se₉₅の構造と光学特性に対するアニーリング効果を調べるために,石英基板上にGa₅Se₉₅の薄膜を室温の熱蒸発法で蒸着した。X線回折パターンの解析から,この573Kでアニーリングした膜は多結晶テキスチャを持ち,正方晶系構造を示すことが分かった。光学定数,屈折率n,消衰係数k,200nmから2500nmのスペクトルの範囲で調べた。この膜の屈折率の正常分散をWemple-DiDomenicoの単一振動子モデルに基づいて記述した。吸収係数のデータ解析から,蒸着直後のGa₅Se₉₅膜は間接遷移による1.685eVの光学エネルギーギャップをもつことが分かった。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  *ガリウム化合物 ,  セレン化物 ,  *結晶構造解析 ,  *スペクトル解析 ,  化合物半導体 ,  *焼なまし ,  基板 ,  石英ガラス ,  *蒸着 ,  室温 ,  蒸発 ,  X線回折 ,  多結晶 ,  正方晶系 ,  *光学定数 ,  屈折率 ,  紫外スペクトル ,  可視スペクトル ,  赤外スペクトル ,  分散【dispersion】 ,  吸収係数 ,  エネルギーギャップ ,  電子遷移
準シソーラス用語： 間接遷移 ,  波長分散

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (2件)： 光学特性 ,  アニーリング