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J-GLOBAL ID：201102228724591621   整理番号：11A1099991

ウエハスケールのグラフェン集積回路

Wafer-Scale Graphene Integrated Circuit

著者 (11件)： LIN Yu-Ming (IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  VALDES-GARCIA Alberto (IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  HAN Shu-Jen (IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  FARMER Damon B. (IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  MERIC Inanc (IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  SUN Yanning (IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  WU Yanqing (IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  DIMITRAKOPOULOS Christos (IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  GRILL Alfred (IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  AVOURIS Phaedon (IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  JENKINS Keith A. (IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA)
資料名： Science  (Science)
巻： 332  号： 6035  ページ： 1294-1297  発行年： 2011年06月10日 
JST資料番号： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンは六方結晶格子配列した炭素原子層の物質である。高い担体移動度と飽和速度の特長を活かして高速エレクトロニクス素子やRF用途に将来が期待される。本報告は,ひとつの炭化ケイ素ウエハ上にモノリシック集積し,グラフェン電界効果トランジスタと複数個のインダクタとを含むすべての回路要素をもつウエハスケールのグラフェン回路について述べる。この集積回路は10ギガヘルツまでの周波数で広帯域無線周波ミキサとして動作する。これらのグラフェン回路は300~400K温度の範囲内で未処理の状態で熱的に安定し,1デシベル以下には低下しない特長をもつ。さらに複雑な機能性と性能をもつ実用的なグラフェン技術が実現すると期待される。

シソーラス用語： WSI【IC】 ,  *グラファイト ,  ナノ構造 ,  *単原子層 ,  *マイクロ波集積回路 ,  周波数混合 ,  耐熱性 ,  熱安定性 ,  高配向性熱分解グラファイト ,  *グラフェン

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (4件)： ウエハ ,  スケール ,  グラフェン ,  集積回路