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J-GLOBAL ID：201102228804465015   整理番号：10A0806017

(1102)γ面サファイア上の(1120)無極性α面GaNの検討

Study of(1120)non polar α-plane GaN on the (1102)γ-plane sapphire

著者 (8件)： XU Sheng-rui (Xidian Univ., Shaanxi, Xi’an) ,  DUAN Huan-tao (Xidian Univ., Shaanxi, Xi’an) ,  HAO Yue (Xidian Univ., Shaanxi, Xi’an) ,  ZHANG Jin-cheng (Xidian Univ., Shaanxi, Xi’an) ,  ZHANG Jin-feng (Xidian Univ., Shaanxi, Xi’an) ,  NI Jin-yu (Xidian Univ., Shaanxi, Xi’an) ,  HU Shi-gang (Xidian Univ., Shaanxi, Xi’an) ,  LI Zhi-ming (Xidian Univ., Shaanxi, Xi’an)
資料名： Xi’an Dianzi Keji Daxue Xuebao  (Xi'an Dianzi Keji Daxue Xuebao)
巻： 36  号： 6  ページ： 1049-1052,1058  発行年： 2009年 
JST資料番号： W0859A  ISSN： 1001-2400  CODEN： XDKXEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： GaNで発光素子素子を製造する場合,天然のピエゾ電気分極は代表的な未解決問題である。この問題を解決すべく,無極性GaNの検討をしてきた。低温AlNバッファを用いて,(1102)γ面サファイア上に(1120)α面GaNを成長させた。原子間力顕微鏡(AFM)と高精細X線回折(XRD)と光ルミネセンス(PL)を組み合わせて用いて,(1120)α面と(0001)S面GaNエピレイヤの転移の特性を得た。S面GaNの典型的な6方晶転移に比べて,従来の極性GaNと大きな違いを見せα面GaNエピレイヤのピットが三角形であったので,これらの欠陥を生成しうるメカニズムを議論し,また,三角形ピットの方向も検討した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *基板 ,  *窒化ガリウム ,  発光 ,  効果 ,  原子間力顕微鏡 ,  X線回折 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： *サファイア基板 ,  ピエゾ電気効果

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (3件)： サファイア ,  無極性 ,  GaN