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J-GLOBAL ID:201102228891115866   整理番号:11A1193447

パターン化した径方向のGaAsナノピラー太陽電池

Patterned Radial GaAs Nanopillar Solar Cells
著者 (6件):
資料名:
巻: 11  号:ページ: 2490-2494  発行年: 2011年06月 
JST資料番号: W1332A  ISSN: 1530-6984  CODEN: NALEFD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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新しい構造をもつ半導体太陽電池を開発した。リソグラフィーを用いて均一な間隔とサイズをもつGaAsナノピラーの高密度かつ大面積の垂直アレイを作製し,無触媒選択領域有機金属化学蒸着を用いてナノピラーの径方向にPN接合を配置した。この素子は2.54%の高い変換効率と213の高い整流比を示した。触媒汚染が発生しないので,低い遺漏電流を実現できた。走査型光電流顕微鏡法を用いて,各ナノピラーが約1nAのピーク光電流を独立して示すことを明らかにした。外部量子効率の測定から,光キャリア抽出は透明電極酸化物に強く依存することが分かった。
シソーラス用語:
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準シソーラス用語:
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分類 (4件):
分類
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太陽電池  ,  半導体薄膜  ,  固体デバイス製造技術一般  ,  光伝導,光起電力 
タイトルに関連する用語 (4件):
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