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J-GLOBAL ID：201102228953224977   整理番号：11A0131992

シンクロトロン放射光電子分光により調べたRu金属電極/HfSiONゲートスタック構造における界面反応

Interfacial reactions in Ru metal-electrode/HfSiON gate stack structures studied by synchrotron-radiation photoelectron spectroscopy

著者 (8件)： KAMADA H. (Dep. of Applied Chemistry, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  TOYODA S. (Dep. of Applied Chemistry, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  TANIMURA T. (Dep. of Applied Chemistry, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  KUMIGASHIRA H. (Dep. of Applied Chemistry, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  OSHIMA M. (Dep. of Applied Chemistry, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  LIU G. L. (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Kohoku-ku, Kanagawa 222-0033, JPN) ,  LIU Z. (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Kohoku-ku, Kanagawa 222-0033, JPN) ,  SUKEGAWA T. (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Kohoku-ku, Kanagawa 222-0033, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 12  ページ： 123521  発行年： 2010年12月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シンクロトロン放射光電子分光を用いて,窒素雰囲気中で熱処理を行ったRu/HfSiONゲートスタック構造の熱安定性と界面反応を調べた。Ru金属を持つHfSiON中において,Ruを持たない同じ膜と異なり,高温熱処理の開始とともに触媒により誘起された酸化と酸素あるいはSiOの析出の間の競合が起こることを見出した。1050°Cでの高温熱処理の際の析出反応は,850°C以下での熱処理後にHfSiONとシリコン基板間の界面での触媒による酸化により形成された不安定なシリコン酸化物成分の分解によって起こり得る。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： シンクロトロン放射 ,  光電子分光分析 ,  ルテニウム ,  *不均一系反応 ,  熱安定性 ,  熱処理 ,  酸化ケイ素
準シソーラス用語： *ゲートスタック ,  *界面反応 ,  シリコン酸化物

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： シンクロトロン放射光電子分光 ,  Ru ,  金属電極 ,  HfSiON ,  ゲートスタック ,  界面反応