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J-GLOBAL ID：201102229384837112   整理番号：11A0194396

DCスパッタ装置の特性と銀薄膜の堆積

Characteristics of DC Sputtering Apparatus and Deposition of Ag Thin Films

著者 (3件)： 大向雅人 (明石工高専) ,  石田啓一 ,  堤保雄 (明石工高専)
資料名： 明石工業高等専門学校研究紀要(Web)  (Memoirs of National Institute of Technology, Akashi College, Japan (Web))
号： 53  ページ： 1-4 (WEB ONLY)  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： U0144A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 放電により生成される不活性ガスイオンが固体原料であるターゲットに衝突することにより原料の元素がはじき出され,それが基板に堆積するスパタリングは,無機薄膜形成のための広く用いられる方法であり,その特徴は高融点材料の膜形成が可能なことである。直流(DC)スパタは構造が最も単純で低価格であるという大きな利点をもつ。本稿では,筆者らの研究室で組み立てたDCスパタリング装置の特性を調べた結果を報告し,本装置を用いて銀薄膜を成膜し,その際の成長速度の特性について記した。

シソーラス用語： スパッタ蒸着 ,  *スパッタリング装置 ,  銀 ,  *金属薄膜 ,  特性 ,  成長速度
準シソーラス用語： スパッタリング堆積 ,  性能特性 ,  成膜

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  気相めっき  (WC08022K)

タイトルに関連する用語 (4件)： DC ,  スパッタ装置 ,  銀薄膜 ,  堆積