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J-GLOBAL ID：201102229595132352   整理番号：11A1088838

シリコン太陽電池のためのレーザでドープしたリンエミッタに関する飽和電流密度の実験研究および解析的研究

Experimental and analytical study of saturation current density of laser-doped phosphorus emitters for silicon solar cells

著者 (5件)： PAVIET-SALOMON B. (CEA, LITEN, INES, 50 avenue du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA) ,  GALL S. (CEA, LITEN, INES, 50 avenue du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA) ,  MONNA R. (CEA, LITEN, INES, 50 avenue du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA) ,  MANUEL S. (CEA, LITEN, INES, 50 avenue du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA) ,  SLAOUI A. (InESS (UMR 7163 CNRS-UdS), 23 rue du Loess, F-67037 Strasbourg Cedex, FRA)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 95  号： 8  ページ： 2536-2539  発行年： 2011年08月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 飽和電流密度の小さい多量ドープエミッタは,選択式エミッタ太陽電池において特に興味深い。これらのエミッタは,POCl₃ガスから熱拡散した後に形成されるリンけい酸ガラス層を通してレーザドーピングすることで得られる。実験の結果,純粋にPOCl₃電気炉拡散で得られるエミッタとは対照的に,レーザドープエミッタの飽和電流密度は,シート抵抗の低下とともに線形的に増加せず,明瞭な二つの領域を示した。その一つにおいては,飽和電流密度はシート抵抗の低下とともに低下し,電気炉拡散で得られるエミッタのものよりも小さい値に達した。この特異な挙動を,定性的解析および数値シミュレーションにより説明した。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  ケイ素 ,  ドーピング ,  リン ,  ケイ酸塩ガラス ,  塩化ホスホリル ,  フォトドーピング ,  レーザ照射 ,  電流密度 ,  シート抵抗 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： *シリコン太陽電池 ,  リンけい酸ガラス ,  レーザドーピング ,  数値シミュレーション

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (9件)： シリコン太陽電池 ,  レーザ ,  ドープ ,  リン ,  エミッタ ,  飽和電流密度 ,  実験 ,  研究 ,  解析