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J-GLOBAL ID：201102230378571664   整理番号：11A1393852

大気圧散布熱分解により成長させた透明なGaドープZnO膜の低いシート抵抗

Low Sheet Resistivity of Transparent Ga-Doped ZnO Film Grown by Atmospheric Spray Pyrolysis

著者 (7件)： TAKEMOTO Yujin (Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN) ,  OSHIMA Minoru (Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN) ,  YOSHINO Kenji (Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN) ,  TOYOTA Kouji (Tosoh Finechem Corp., Yamaguchi, JPN) ,  INABA Koichiro (Tosoh Finechem Corp., Yamaguchi, JPN) ,  HAGA Ken-ichi (Tosoh Finechem Corp., Yamaguchi, JPN) ,  TOKUDOME Koichi (Tosoh Finechem Corp., Yamaguchi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 8,Issue 1  ページ： 088001.1-088001.2  発行年： 2011年08月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジエチル亜鉛ベース溶液を用いて通常の大気圧散布熱分解により150°Cでポリエチレンテレフタレート膜上にGaドープZnO膜を成長させることに成功した。それぞれ光透過およびX線回折解析の結果によると試料は80%より高い平均光透過を示し,強くa軸配向していた。n型GaドープZnO膜は,UV照射のとき1at%の最適Ga含有量で250Ω/□の低いシート抵抗をもっていた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 熱分解 ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ドーピング ,  ガリウム ,  ポリエチレンテレフタレート ,  高分子膜 ,  *光透過 ,  X線回折 ,  *配向 ,  *シート抵抗 ,  *溶液成長 ,  薄膜成長

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  光物性一般  (BM08010A)

物質索引 (1件)： ジエチル亜鉛

引用文献 (20件)：

• 1) J. G. Lu et al.: J. Appl. Phys. 100 (2006) 073714.
• 2) K. K. Kim et al.: J. Appl. Phys. 97 (2005) 066103.
• 3) B. H. Choi et al.: Thin Solid Films 193-194 (1990) 712.
• 4) T. Yamada et al.: J. Appl. Phys. 107 (2010) 123534.
• 5) K. J. Kim and Y. R. Park: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 475.

タイトルに関連する用語 (8件)： 大気圧 ,  散布 ,  熱分解 ,  成長 ,  Ga ,  ドープ ,  ZnO ,  シート抵抗