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J-GLOBAL ID：201102230695182363   整理番号：11A1582413

GaN系発光ダイオードのマスクレス作製

Maskless Fabrication of GaN-Based Light-Emitting Diodes

著者 (6件)： GUILHABERT B. (Univ. Strathclyde, Glasgow, GBR) ,  RICHARDSON E. (Univ. Strathclyde, Glasgow, GBR) ,  MASSOUBRE D. (Univ. Strathclyde, Glasgow, GBR) ,  GU E. (Univ. Strathclyde, Glasgow, GBR) ,  WATSON I.M. (Univ. Strathclyde, Glasgow, GBR) ,  DAWSON M.D. (Univ. Strathclyde, Glasgow, GBR)
資料名： Annual Meeting of the IEEE Photonics Society  (Annual Meeting of the IEEE Photonics Society)
巻： 23rd  ページ： 649-650  発行年： 2010年 
JST資料番号： T0931A  ISSN： 1092-8081  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 発光ダイオード(LED)の標準的作製法では複数のエッチングとリフトオフ工程が必要である。これらの段階の大部分はフォトレジストによるパターン形成を必要とする。本稿では個々に番地指定可能なGaN系LED配列を作製するための完全にマスクレスな工程を示した。この新しい手法は相補型金属酸化膜半導体(CMOS)制御した微小LED紫外線描画と銀ナノ粒子インクジェット印刷からなる。作製したLED配列の充填因子は99%である。LEDの電流電圧特性と発光-電流特性を示した。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *発光ダイオード ,  紫外線照射 ,  電子技術 ,  電流電圧特性 ,  *インクジェット印刷 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  配列
準シソーラス用語： CMOS技術 ,  LED配列

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  発光ダイオード ,  マスクレス ,  作製