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J-GLOBAL ID：201102230769909210   整理番号：11A0908322

プラズマCVD法による窒素をドープしたアモルファルスシリコンカーバイド半導体薄膜の作製とその物理・化学特性

著者 (5件)： 吉永浩亮 (山口大 理) ,  栗山孝一 (山口大 理) ,  桑原遼輔 (山口大 理) ,  楢木野宏 (山口大 理) ,  本多謙介 (山口大 理)
資料名： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
巻： 91st  号： 3  ページ： 967  発行年： 2011年03月11日 
JST資料番号： S0493A  ISSN： 0285-7626  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 我々は,ダイヤモンドに近い光学ギャップを示すアモルファス半導体の創製の研究開発を行っている。本研究では,sp3炭素を含む窒素ドープDLC(N-DLC)にSiを添加し,N-DLCより高い光学ギャップを示す窒素ドープシリコンカーバイド(a-SiCN)を作成できた。a-SiCNの光学ギャップは2.8 eVであり,電気化学電極に用いると,水電解で水素発生反応のみを示し(整流作用),n型半導体として機能した。また,-0.5V vs.Ag|AgCl付近のフラットバンド電位を観測した。(著者抄録)

シソーラス用語： プラズマCVD ,  窒素 ,  ドーピング ,  *ケイ素化合物 ,  *炭化物 ,  非晶質 ,  *半導体薄膜 ,  光学ギャップ ,  窒化物 ,  水素発生反応 ,  N型半導体

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマCVD法 ,  窒素 ,  ドープ ,  半導体薄膜 ,  作製 ,  物理 ,  化学特性