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J-GLOBAL ID：201102231524305048   整理番号：11A0696958

SiC(0001)上でのグラフェンの形成過程

Formation process of graphene on SiC (0 0 0 1)

著者 (4件)： NORIMATSU W. (Nagoya Univ., Aichi-ken, JPN) ,  KUSUNOKI M. (Nagoya Univ., Aichi-ken, JPN) ,  NORIMATSU W. (Japan Fine Ceramics Center, Aichi-ken, JPN) ,  KUSUNOKI M. (Japan Fine Ceramics Center, Aichi-ken, JPN)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 42  号： 4  ページ： 691-694  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiC ,  グラフェン ,  形成過程