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J-GLOBAL ID：201102232406062633   整理番号：11A0539864

局所密度拡散率モデルのシリコンにおけるリンとヒ素の非ガウス型拡散

Non-Gaussian Diffusion of Phosphorus and Arsenic in Silicon with Local Density Diffusivity Model

著者 (1件)： WIRBELEIT Frank (GLOBALFOUNDRIES, Dresden, DEU)
資料名： Defect and Diffusion Forum  (Defect and Diffusion Forum)
巻： 303/304  ページ： 21-29  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0958B  ISSN： 1012-0386  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (8件)： 密度 ,  拡散率 ,  モデル ,  シリコン ,  リン ,  ヒ素 ,  ガウス型 ,  拡散