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J-GLOBAL ID：201102232517688760   整理番号：11A1110451

プラズマアシスト分子線エピタクシーによって種々の温度でサファイア基板上に成長したa-面(1120)酸化亜鉛膜の特性

Properties of (11-20) a-plane ZnO films on sapphire substrates grown at different temperatures by plasma-assisted molecular beam epitaxy

著者 (11件)： HAN Seok Kyu ,  HONG Soon-ku ,  LEE Jae Wook ,  KIM Jae Goo ,  JEONG Myoungho ,  LEE Jeong Yong ,  HONG Sun Ig ,  PARK Jin Sub ,  IHM Young Eon ,  HA Jun-seok ,  YAO Takafumi
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 519  号： 19  ページ： 6394-6398  発行年： 2011年07月29日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマアシスト分子線エピタクシーによってr-面(1102)サファイア基板上に成長したa-面(1120)酸化亜鉛薄膜の特性について成長温度(100~800°Cの広範囲)の影響を調べた。薄膜は100°Cでは多結晶体,200-800°Cではc-面(0001)酸化亜鉛及びm-面(1010)酸化亜鉛の混合のない単結晶として成長した。この単結晶酸化亜鉛薄膜は,凝集性の粒子または[0001]zno方向に沿った縞を有する異方性表面形態であった。400°Cにおいて成長した酸化亜鉛薄膜は,他のものよりも良好な結晶質を示した。また,<0001>zno及び方向に平行且つ垂直なω軸の測定構成において,(1120)X線ωロッキング曲線に対し最小の半値幅がそれぞれ0.450°及び0.297°であり,(1011)ωロッキング曲線に対して0.387°であった。400°Cにおいて成長した酸化亜鉛薄膜の貫通転位及び積層欠陥密度は,約3.7×10¹⁰cm^-2,約8.5×10⁴cm^-1であった。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MBE成長 ,  キャラクタリゼーション ,  基板 ,  X線回折 ,  ロッキングカーブ ,  貫通転位 ,  積層欠陥 ,  半導体薄膜 ,  エピタクシー ,  原子間力顕微鏡 ,  *表面構造 ,  結晶度 ,  温度依存性 ,  RHEED ,  表面粗さ ,  *酸化亜鉛
準シソーラス用語： サファイア基板

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマ ,  アシスト ,  分子線エピタクシー ,  サファイア基板 ,  成長 ,  酸化亜鉛