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J-GLOBAL ID：201102232520005470   整理番号：11A0886000

CMOSゲートの内部の”静電放電のような”損傷の検出

DETECTING INTERNAL “ESD-LIKE” DAMAGE ON CMOS GATES

著者 (2件)： GORES M. (Hi-Rel Lab., Inc, WA) ,  DICKEN H. (DM Data, Inc, AZ)
資料名： Conference Proceedings from the International Symposium for Testing and Failure Analysis  (Conference Proceedings from the International Symposium for Testing and Failure Analysis)
巻： 36th  ページ： 243-248  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0658B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文ではCMOSゲートなどでの静電放電(ESD)型の故障の事例と損傷位置を特定するために必要な解析と特別な手段への取り組みについて述べる。半導体チップの表面検査等の通常の検査手順に加えて,走査電子顕微鏡(SEM)による電圧コントラスト試験を行う。素子試験セットをSEMに取り付け,電圧コントラスト法を用いて半導体チップを観察する。この状態で故障が生じるまで温度を上昇する。カラーコーディング技術により,電圧コントラスト画像から問題の領域を絞り込むことができる。その結果,故障したCMOSのゲートが電気的に劣化し,漏れ電流が温度に対して非常に敏感になる。故障位置を電圧コントラスト法によって特定し,曲線追跡によって確認した。金属を取り除いた後に,SEM検査によりNチャンネルトランジスタのゲート酸化物に小さな損傷があることがわかった。ゲートはV_ddあるいは接地線のどちらかでのESDのような過渡電流によって損傷を受ける可能性がある。

シソーラス用語： 半導体 ,  *ゲート【半導体】 ,  走査電子顕微鏡 ,  漏れ電流 ,  故障点標定 ,  画像分析 ,  酸化物 ,  *損傷検出 ,  *CMOS
準シソーラス用語： *ESD【放電】 ,  温度上昇 ,  過渡電流 ,  静電放電 ,  表面検査 ,  輪郭線追跡

分類 (3件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  液体・固体中の放電  (BJ03030E) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOS ,  ゲート ,  静電放電 ,  損傷