FTS装置を用いて作製したGaドープZnOの性質に及ぼす基板温度の影響

文献

J-GLOBAL ID：201102232555211285 整理番号：11A0120391

Effects of Substrate Temperature on the Properties of Ga-doped ZnO Prepared by Using a FTS System

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資料名：
巻： 57 号： 6,Pt.1 ページ： 1909-1913 発行年： 2010年12月15日
JST資料番号： T0357A ISSN： 0374-4884 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：韓国 (KOR) 言語：英語 (EN)

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半導体薄膜

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