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J-GLOBAL ID：201102232762713070   整理番号：11A0656105

両極性RF応用における低位相雑音グラフェンFET

Low-Phase-Noise Graphene FETs in Ambipolar RF Applications

著者 (11件)： MOON J. S. (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  CURTIS D. (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  ZEHNDER D. (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  KIM S. (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  GASKILL D. K. (Naval Res. Lab., Washington, DC, USA) ,  JERNIGAN G. G. (Naval Res. Lab., Washington, DC, USA) ,  MYERS-WARD R. L. (Naval Res. Lab., Washington, DC, USA) ,  EDDY C. R., Jr (Naval Res. Lab., Washington, DC, USA) ,  CAMPBELL P. M. (Naval Res. Lab., Washington, DC, USA) ,  LEE K.-M. (Univ. California San Diego, CA, USA) ,  ASBECK P. (Univ. California San Diego, CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 32  号： 3  ページ： 270-272  発行年： 2011年03月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,ウエハスケールにてエピタキシャルグラフェンFETが,いくつかのキーデバイスパラメータにより,良好な進展を示している。Si,SiGeおよびIII-IV半導体材料と違って,ユニークな両極性特性をもっている。すなわち,電子とホール両者に対して優れた電界効果移動度をもっている。その特徴は,周波数逓倍器,混合器および発振器に使われている。本レターでは,ギガヘルツ領域における非線形回路応用のためのトップゲートエピタキシャルグラフェンFETの位相雑音性能を提供した。トップゲートグラフェンFETは,両極性特性に基づいた「二乗則」デバイス動作を示した。それにより周波数逓倍はギガヘルツレンジにて,低位相雑音および低1/f雑音性能を実現した。

シソーラス用語： 位相雑音 ,  *単一層 ,  *FET【トランジスタ】 ,  ウエハ【IC】 ,  エピタクシー ,  半導体材料 ,  キャリア移動度 ,  倍周器 ,  非線形回路 ,  周波数逓倍 ,  1/f雑音 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： エピタキシャル ,  ギガヘルツ ,  トップゲート ,  周波数逓倍器 ,  電界効果移動度 ,  両極性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 両極性 ,  RF ,  応用 ,  低位相雑音 ,  グラフェンFET