文献

J-GLOBAL ID：201102232927546696   整理番号：11A0369602

反強磁性層状のMnPSe3半導体のマグノンとフォノンによる弾力性のない電子トンネリング

Inelastic electron tunneling due to magnons and phonons of antiferromagnetic layered MnPSe3 semiconductors

著者 (1件)： YAMAGUCHI K
資料名： PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH
巻： 236  号： 3  ページ： 634-639  発行年： 2003年 
JST資料番号： O5347A  ISSN： 0370-1972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 反強磁性 ,  層状 ,  マグノン ,  フォノン ,  弾力性 ,  電子トンネリング