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J-GLOBAL ID:201102233200305463   整理番号:11A1843345

チオ硫酸塩によるシアンフリーの銀コーティングプロセス

著者 (5件):
資料名:
巻: 43  号:ページ: 32-35  発行年: 2010年 
JST資料番号: W0339A  ISSN: 1001-1560  CODEN: CAIBE3  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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シアンフリーの銀コーティングは電着銀の発展傾向であるが、様々な問題まだ未解決である。本研究では、チオ硫酸塩を用いたシアンフリーの銀コーティングプロセスを利用し、AgNO_3及びAgBrをメインの塩としてシアンフリーの銀コーティングを実現した。塩の含有量、電流密度がコーティング層の表面質量、沈着速度、マイクロ硬さに及ぼす影響を調べた。コーティング層の結合強度及び粒子寸法を測定し、2種システムの最適プロセスを確定した。結果から、AgNO_3システムの最適AgNO_3含有量は40g/L、最適電流密度は0.25A/dm2である。得られたコーティング層の平均粒子大きさは35nmであった。一方、AgBrシステムの最適AgBr含有量は30g/L、最適電流密度は0.20A/dm2である。得られたコーティング層は均一であり、平均粒子大きさは55nmであった。AgBrシステムと比べて、AgNO_3システムに適用できる電流密度範囲が広く、得られたコーティング層のマイクロ硬さは高く、粒子も小さいことが分かった。2種のシステムで得られたコーティング層は共にナノ結晶であった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST
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