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J-GLOBAL ID：201102233279504300   整理番号：11A0799999

接触膜の電気的および機械的破壊による低接触抵抗の回復

Recovery of Low Contact Resistance due to Electrical and Mechanical Breakdown of Contact Films

著者 (1件)： TAMAI Terutaka (Mie Univ., Mie, JPN)
資料名： Proceedings of the IEEE Holm Conference on Electrical Contacts  (Proceedings of the IEEE Holm Conference on Electrical Contacts)
巻： 56th  ページ： XXII-XXXIX  発行年： 2010年 
JST資料番号： E0462C  ISSN： 1062-6808  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属・絶縁膜・金属の接触構造における接触膜の電気的および機械的破壊に関する研究をレビューし,検討した。接触の性能は,金属材料,電気的負荷レベル(電圧,電流など)や電気的負荷のタイプ(抵抗性,容量性,誘導性)および機械的条件(接触負荷,微小変位等)で決まる。電気的接触に影響する要因の一つは大気中の反応性気体による汚染により生じる酸化物や硫化物である。絶縁膜または半導体膜の場合には膜厚の薄い場合にはトンネル伝導,厚い場合にはSchottky伝導が発生する。通常負荷条件下の微小なズレや接触面積の変化に起因する機械的接触破壊についても検討した。

シソーラス用語： 面 ,  絶縁膜 ,  半導体薄膜 ,  *絶縁破壊 ,  現象 ,  大気汚染 ,  コンダクタンス ,  半導体金属接合
準シソーラス用語： ショットキー接合 ,  トンネル伝導度 ,  機械的現象 ,  接触面

分類 (1件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (3件)： 破壊 ,  接触抵抗 ,  回復