文献

J-GLOBAL ID：201102233391525271   整理番号：11A0143321

高移動度,低閾値電圧,高電気的安定性を持つ溶液プロセス・ジオクチルベンゾチエノ・ベンゾチオフェンを用いたトップゲート有機トランジスタ

Solution-Processed Dioctylbenzothienobenzothiophene-Based Top-Gate Organic Transistors with High Mobility, Low Threshold Voltage, and High Electrical Stability

著者 (7件)： ENDO Toshiyuki (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  NAGASE Takashi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  KOBAYASHI Takashi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  TAKIMIYA Kazuo (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  IKEDA Masaaki (Nippon Kayaku Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  IKEDA Masaaki (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  NAITO Hiroyoshi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 12  ページ： 121601.1-121601.3  発行年： 2010年12月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジオクチルベンゾチエノ[2,3-b]ベンゾチオフェン(C₈-BTBT)を用いたトップゲート配置とフッ素ポリマのゲート絶縁体を持つ有機電界効果トランジスタ(OFET)をスピンコーティング法により作成した。素子の作成は簡単で,高移動度(μ_FET),低閾値電圧(V_th),高電気的安定性を持つC₈-BTBT FETを得ることができた。1.59±0.40cm²V^-1s^-1のμ_FETと-1.48±3.02VのV_thを持つ116トップゲートC₈-BTBTを作成し,この中で最大のμ_FETは約3cm²V^-1s^-1であった。10⁴秒間-1.2MV/cmの負バイアスストレスを加えた後でも,素子の特性に変化は見られなかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 移動度 ,  電圧 ,  安定性 ,  *素子構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  フッ素化重合体 ,  酸化膜 ,  スピンコーティング ,  *芳香族縮合化合物 ,  *硫黄複素環化合物 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 高移動度 ,  閾値電圧 ,  *トップゲート構造 ,  *有機トランジスタ ,  フッ素ポリマー ,  ゲート絶縁体 ,  *ベンゾチオフェン類

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (17件)：

• MURPHY, A. R. Chem. Rev. 2007, 107, 1066
• PAYNE, M. M. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 4986
• HAMILTON, R. Adv. Mater. 2009, 21, 1166
• EBATA, H. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 15732
• IZAWA, T. Adv. Mater. 2008, 20, 3388

タイトルに関連する用語 (7件)： 高移動度 ,  低閾値電圧 ,  電気的安定性 ,  溶液 ,  トップ ,  ゲート ,  有機トランジスタ