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J-GLOBAL ID：201102233508170950   整理番号：11A1033117

プレーナ型Metal-Semiconductor-Metal構造における空乏層の光音響信号測定

Measurement of Photoacoustic Signals of Depletion Layer in Planar Metal-Semiconductor-Metal Structure

著者 (4件)： 村上雅彦 (神奈川工科大学工学部電気電子情報工学科) ,  高畠信也 (神奈川工科大学創造工学部ホームエレクトロニクス開発学科) ,  佐藤和紀 (東海大学情報理工学部コンピュータ応用工学科) ,  荒井俊彦 (神奈川工科大学工学部電気電子情報工学科)
資料名： 電気学会論文誌 A  (IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials)
巻： 131  号： 6  ページ： 447-451 (J-STAGE)  発行年： 2011年 
JST資料番号： S0808A  ISSN： 0385-4205  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 光音響(PA)法は試料に対して非接触で,試料の熱特性の検出に有効であるが,本論文では,プレーナ型MSM(Mo/n-Si/Mo)構造を有する試料の逆バイアス電圧を印加した電極端近傍における空乏層のPA信号を測定した。その結果,PA信号の分布はバイアス依存性を持ち,光電流(PC)法による分布とよく一致した。これにより,PA信号の分布は空乏層の存在を示していることが分かった。また,PA信号の振幅比は空乏層の水平(表面)方向の広がりを表わすことができ,位相差はその深さ方向の広がりを表わす可能性がある。さらに,PA法により空乏層の存在を二次元分布で可視化することができた。

シソーラス用語： *MSM構造 ,  *プレーナ構造 ,  *空乏層 ,  光音響分光法 ,  光音響スペクトル ,  Schottky障壁 ,  光電流

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (18件)：

• (1) S. M. Sze: Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed., Chap. 2.5, p. 84 John Wiley & Sons, New York (1981)
• (2) J. Hilbrand and R. D. Gold: RCA Rev., Vol. 21, p. 245 (1960)
• (3) M. G. Buehler: IEEE Trans. Electron Devices, Vol. ED-19, p. 1171 (1972)
• (4) K. H. Zaininger and F. P. Heiman: Solid State Technol., Vol. 13, p. 46 (1970)
• (5) A. F. Yaremchuk: Appl. Phys. A, Vol. 80, p. 881 (2005)

タイトルに関連する用語 (2件)： プレーナ ,  空乏層