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J-GLOBAL ID:201102234288126691   整理番号:11A0140683

磁気ひずみ性のFe1-xGaxの組合せ電着

Combinatorial Electrodeposition of Magnetostrictive Fe1-xGax
著者 (4件):
資料名:
巻: 157  号: 12  ページ: D656-D665  発行年: 2010年 
JST資料番号: C0285A  ISSN: 1945-7111  CODEN: JESOAN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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磁気歪み性物質であるGalfenol,Fe<sub>1-x</sub>Ga<sub>x</sub>(10<x<40原子%)薄膜を電気メッキで製造した。析出電流密度を変化させる方法で組成を制御するため,台形Hullセルを用いた。4パラメータの空間を考え,その中で金属鉄,Galfenol,酸化物及びGaリッチ金属膜を生成させた。Ga<sup>3+</sup>とその錯体生成剤であるクエン酸ナトリウムの濃度を変化させて広範囲の電流密度でGalfenolを生成させた。エネルギー分散X線分光(EDS)によりカソードに沿った特定点の厚みと組成を求めた。析出速度,部分電流密度及び析出効率を電流密度の関数として決定した。EDSの結果をRutherford後方散乱で確認した。析出速度は電流密度とともに増加するが,共析出の効率は減少する。金属Galfenolの粒径と結晶学的方向は析出速度に依存し,速い速度では(110)方向の小さい粒,遅い速度では(211)方向の立方晶を作る。
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分類 (3件):
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電極過程  ,  金属薄膜  ,  電気めっき 
物質索引 (1件):
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