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J-GLOBAL ID：201102234664774179   整理番号：11A1586470

化学工学年鑑2011 6.反応工学 6.6 CVDプロセス

著者 (1件)： 秋山泰伸 (東海大 大学院工学研究科)
資料名： 化学工学  (Chemical Engineering of Japan)
巻： 75  号： 10  ページ： 650-651  発行年： 2011年10月05日 
JST資料番号： F0099A  ISSN： 0375-9253  CODEN： KKGKA4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： CVDプロセスについては,国内外の動き,研究・技術動向,今後の展望などについて述べた。国内外の動きについては,CVDは,気化させた有機金属や無機原料から熱やプラズマエネルギにより固体材料を合成する反応プロセスで,高密度集積回路や太陽電池の製造における薄膜プロセスの基幹技術であり,最近ではCNT(カーボンナノチューブ)に代表される次世代材料やナノ微粒子の製造に用いられるなど多様な展開・応用がなされている。研究・技術動向については,国内外の研究動向からも半導体関連では窒化物関連の研究が主流である。この事は前述の国際会議ICMOVPEXVでの全体の1/3程度が窒化物関連の発表であることからも明らかでありこの傾向は当面変わらないと思われる。さらに,CVD法はZnOに代表されるワイドギャップ酸化物半導体薄膜の合成手法の一つとして盛んに研究がおこなわれている。今後の展開については,今後ますます新規材料開発および工業的実用プロセスとしてCVDは注目を浴びると思われる。昨今の国内外情勢を踏まえ,低環境負荷のプロセスとしてのCVD装置および反応プロセスの開発が重要である。

シソーラス用語： *化学工学 ,  *定期刊行物 ,  *反応工学 ,  *化学蒸着 ,  *化学プロセス ,  ナノ粒子
準シソーラス用語： *CVD【化学蒸着】 ,  年鑑

分類 (2件)： 化学工学一般  (XA01000E) ,  反応工学,反応速度論  (XE01020M)

タイトルに関連する用語 (5件)： 化学工学 ,  年鑑 ,  反応工学 ,  CVD ,  プロセス