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J-GLOBAL ID：201102234818982845   整理番号：11A0842491

窒化物発光ダイオードの効率低下の原因としての間接Auger再結合

Indirect Auger recombination as a cause of efficiency droop in nitride light-emitting diodes

著者 (4件)： KIOUPAKIS Emmanouil (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  RINKE Patrick (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  DELANEY Kris T. (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  VAN DE WALLE Chris G. (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 98  号： 16  ページ： 161107  発行年： 2011年04月18日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN系発光ダイオード(LED)を高注入キャリア密度で動作させると,有意な効率損失(低下)が生じるが,その原因は解明されていない。原子レベルの第一原理計算を用いて,この効率低下が,電子-フォノン結合と合金散乱により媒介される間接Auger再結合により生じることを示した。低下の起源を同定することで,これらの結果は窒化物LEDの効率の問題と効率的固体照明の開発への指針を提供する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  キャリア密度 ,  第一原理 ,  *エネルギー変換効率 ,  *再結合
準シソーラス用語： 効率低下 ,  *発光効率 ,  *Auger再結合

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒化物 ,  発光ダイオード ,  効率低下 ,  原因 ,  間接 ,  Auger再結合