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J-GLOBAL ID：201102234984895071   整理番号：11A0174232

化学溶液堆積により作製したVドープNa_0.5Bi_4.5Ti₄O₁₅薄膜の電気的性質

Electrical Properties of V-Doped Na_0.5Bi_4.5Ti₄O₁₅ Thin Films Prepared by Chemical Solution Deposition

著者 (7件)： KIM J.W. (Changwon National Univ., Gyungnam, KOR) ,  DO D. (Changwon National Univ., Gyungnam, KOR) ,  KIM S.S. (Changwon National Univ., Gyungnam, KOR) ,  SONG T.K. (Changwon National Univ., Gyungnam, KOR) ,  SUNG Y.S. (Changwon National Univ., Gyungnam, KOR) ,  KIM M.H. (Changwon National Univ., Gyungnam, KOR) ,  CHOI B.C. (Pukyong National Univ., Busan, KOR)
資料名： Ferroelectrics  (Ferroelectrics)
巻： 406  ページ： 1383-1387  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： D0777A  ISSN： 0015-0193  CODEN： FEROA8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Na_0.5Bi_4.5Ti_4-xV_xO₁₅(x=0~0.05)薄膜をPt(111)/Ti/SiO₂/Si(100)基板上に作製した。x=0.01の薄膜は最も優れた電気的性質を示した。残留分極(2P_r)は61μC/cm²,薄膜コンデンサの漏れ電流はV非ドープ膜の約1/10であった。性能の向上はVドーピングによる酸素空格子点の減少に起因すると考えられる。

シソーラス用語： 溶液成長 ,  薄膜成長 ,  *ドーピング ,  チタン酸塩 ,  ビスマス化合物 ,  *強誘電体 ,  *誘電体薄膜 ,  残留分極 ,  漏れ電流 ,  薄膜コンデンサ ,  バナジウム ,  ナトリウム化合物
準シソーラス用語： 化学溶液堆積

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 化学溶液堆積 ,  作製 ,  ドープ ,  薄膜 ,  電気的性質