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J-GLOBAL ID：201102235389954923   整理番号：11A1159904

高密度クロスポイントメモリ用の優れたスイッチング均一性と信頼性を備えたダイオードレスナノスケールZrO_x/HfO_xRRAMデバイス

Diode-less Nano-scale ZrO_x/HfO_x RRAM Device with Excellent Switching Uniformity and Reliability for High-density Cross-point Memory Applications

著者 (11件)： LEE Joonmyoung (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  SHIN Jungho (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  LEE Daeseok (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  LEE Wootae (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  JUNG Seungjae (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  JO Minseok (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  PARK Jubong (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  BIJU Kuyyadi P. (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  KIM Seonghyun (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  PARK Sangsu (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  HWANG Hyunsang (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010  ページ： 452-455  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高密度クロスポイントメモリ用途の場合には,RRAMのスイッチング動作の不均一性が問題になり,適切なデバイスの選択が重要な考慮点となる。本報告では,ZrO_x/HfO_x二重層膜を用いることによって,優れたスイッチング均一性と信頼性を有するRRAMデバイスを作製した。HfO₂層中の酸素空格子点の濃度を精密にコントロールし,薄いZr金属(2~15nm)層を成膜して,これを実現した。微細化した能動デバイスエリア(直径50nm)と膜厚(2.5nm以下)を用いて,おおきなエリアと能動層の厚みのデバイスに通常的に観察される外因性欠陥由来の非均一スイッチング現象の発生を明らかに最小化することができた。

シソーラス用語： 高密度実装 ,  *RAM【メモリ】 ,  電気抵抗 ,  半導体素子 ,  スイッチング ,  酸化亜鉛 ,  酸化ハフニウム ,  *半導体集積回路 ,  *ナノメータ加工 ,  安定化 ,  均一性
準シソーラス用語： RRAM ,  *抵抗記憶素子

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： スイッチング ,  均一性