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J-GLOBAL ID:201102235528282218   整理番号:11A1098336

100Gを超える並列LAN用途のためのDFBレーザと集積化した1.3μm,50Gbit/s 電気吸収変調器

1.3μm, 50Gbit/s electroabsorption modulators integrated with DFB laser for beyond 100G parallel LAN applications
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資料名:
巻: 47  号: 12  ページ: 708-710  発行年: 2011年06月09日 
JST資料番号: A0887A  ISSN: 0013-5194  CODEN: ELLEAK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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2010年に100Gbit Ethernet(100GbE)が標準化された。25Gbit/s×4レーンの信号が1.3μm周辺で800GHz波長間隔にてWDM化したマルチレーンLAN-WDMシステムが用いられる。送信側では25Gbit/sの変調速度による4レーン光源が必要であり,25Gbit/s電気吸収型光変調器と集積化したDFBレーザ(EADFBレーザ)が期待されている。ここでは,1.3μm,50Gbit/s EADFBレーザを提案し,単一モードファイバ上で8波長による50Gbit/s,40km伝送を行って明瞭なアイパターンを得た。
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分類 (2件):
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光変調器  ,  計算機網 
タイトルに関連する用語 (5件):
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