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J-GLOBAL ID：201102236120708426   整理番号：11A0161792

ナノ結晶中に蓄積された電荷の小信号応答からのGeナノ結晶/SiO₂母材界面トラップ密度の決定

Determination of the Ge-nanocrystal/SiO₂ matrix interface trap density from the small dignal response of charge stored in the nanocrystals

著者 (3件)： PEIBST R. (Leibniz Univ. Hannover, Hannover, DEU) ,  DE SOUSA J. S. (Universidade Ferderal do Ceara, Fortaleza, BRA) ,  HOFMANN K. R. (Leibniz Univ. Hannover, Hannover, DEU)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 82  号： 19  ページ： 195415.1-195415.12  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *界面 ,  *ゲルマニウム ,  *ナノ結晶 ,  蓄積 ,  *電荷 ,  密度汎関数法 ,  不動態化 ,  焼なまし ,  水素 ,  表面準位 ,  *状態密度 ,  *二酸化ケイ素 ,  埋込み【挿入】 ,  応答
準シソーラス用語： *トラップ【固体】 ,  ドレイン電流 ,  小信号応答

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (9件)： ナノ結晶 ,  蓄積 ,  電荷 ,  応答 ,  Ge ,  SiO2 ,  母材 ,  界面トラップ ,  密度