Ptを析出させたTiO<sub>2</sub>膜の作製と光触媒特性の評価

ISAI Masaaki; NAKAMURA Ikuta; ITO Tatsuya; HOSHI Yoichi

文献

J-GLOBAL ID：201102236283525450 整理番号：11A1170815

Ptを析出させたTiO₂膜の作製と光触媒特性の評価

Preparation of Pt-deposited TiO₂ films and evaluation of photocatalytic properties

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資料名：
巻： 36 号： 2 ページ： 261-264 発行年： 2011年06月
JST資料番号： L4468A ISSN： 1382-3469 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

TiO₂膜の光触媒特性を向上させるためPtを析出させ,光触媒特性を評価した。TiO₂膜をガラス基板にRFマグネトロンスパッタリングで作製後,イオンコータでPtをコーティングした。透過率測定からエネルギーギャップはPt析出により3.2eVから3.1~3.12eVへ減少した。全てのTiO₂膜はアナターゼ相であった。接触角測定からUV照射によりTiO₂膜は超親水性を示したが,Pt析出させた膜は超親水性を示さなかった。UV照射によるメチレンブルー分解により光触媒性能を評価した結果,分解速度はPt析出時間と共に増加した。

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光化学一般 , 酸化物薄膜

引用文献 (10件)：

[1] A. Fujishima and K. Honda, "Electrochemical Photolysis of Water at a Semiconductor Electrode", Nature 37 pp.238(1972).
[2] T. Takahashi, Y. Hoshi, S. Kawaguchi, E.Suzuki, and O. Kamiya, "Investigation oh High Rate Sputtering Method for the Deposition of TiO² Films", IEICE Tech. Re. of IECE 2004-133(2004-11), pp.33-38 (2004).
[3] Y. Hoshi, S. Kawaguchi, O. Kamiya, and H. Shimizu, "High Rate Deposition of TiO2 thin films by plasma assisted reactive electron beam evaporation", IEICE Tech. Re. CPM2006-45, pp.25-29(2006).
[4] J. Musil, D. Herman and J. Sicha, "Low-temperature sputtering of crystalline TiO2 films", J. Vac. Sci. Tech. A Vol.24 No.3 pp.521-528(2006).
[5] T. Yazaki, T. Nagata, T. Takahashi and Y. EMA, "Preparation of N-doped TiO2 Thin Films by Sputtering Using TiO2: TiN Mixed Target", IEICE Tech. Re. CPM2007-26 , pp.97-102, (2007).

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