文献

J-GLOBAL ID：201102236565057794   整理番号：11A0787644

アルキル化ジナフト[2,3-b:2′,3′-f]チエノ[3,2-b]チオフェン類(C_n-DNTT) 高性能薄膜トランジスタのための有機半導体

Alkylated Dinaphtho[2,3-b:2′,3′-f]Thieno[3,2-b]Thiophenes (C_n-DNTTs): Organic Semiconductors for High-Performance Thin-Film Transistors

著者 (7件)： KANG Myeong Jin (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  DOI Iori (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  MORI Hiroki (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  MIYAZAKI Eigo (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  TAKIMIYA Kazuo (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  IKEDA Masaaki (Nippon Kayaku Co. Ltd., Tokyo, JPN) ,  KUWABARA Hirokazu (Nippon Kayaku Co. Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 23  号： 10  ページ： 1222-1225  発行年： 2011年03月11日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナフチルアルデヒドのスルフィド化,二量化,環化によりアルキル化ジナフト[2,3-b:2′,3′-f]チエノ[3,2-b]チオフェン(C_n-DNTT;n=6,8,10,12)を合成した。酸化ケイ素/ケイ素基板上の蒸着膜についてX線回折により結晶構造を決定した。紫外可視吸収スペクトルを測定した。金電極を蒸着して薄膜トランジスタを作製し,電流電圧特性を測定した。キャリア移動度8.0cm²/Vsを達成した。

シソーラス用語： *硫黄複素環化合物 ,  *芳香族縮合化合物 ,  化学合成 ,  ウエハ【IC】 ,  蒸着膜 ,  X線回折 ,  結晶構造 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  金電極 ,  *薄膜トランジスタ ,  電流電圧特性 ,  *キャリア移動度 ,  シリコンウエハ ,  *チオフェン類
準シソーラス用語： ケイ素基板 ,  *チオフェン誘導体

分類 (4件)： チオフェンの縮合誘導体  (CF07075U) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  複素環式化合物の結晶構造  (BK08030Q) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (4件)： 11,23-ジヘキシル-4,16-ジチアヘキサシクロ[18.4.0.0^3,18.0^5,17.0^6,15.0^8,13]テトラコサン-1,3(18),5(17),6,8,10,12,14,19,21,23-ウンデカエン ,  11,23-ジオクチル-4,16-ジチアヘキサシクロ[18.4.0.0^3,18.0^5,17.0^6,15.0^8,13]テトラコサン-1,3(18),5(17),6,8,10,12,14,19,21,23-ウンデカエン ,  11,23-ジデシル-4,16-ジチアヘキサシクロ[18.4.0.0^3,18.0^5,17.0^6,15.0^8,13]テトラコサン-1,3(18),5(17),6,8,10,12,14,19,21,23-ウンデカエン ,  11,23-ジドデシル-4,16-ジチアヘキサシクロ[18.4.0.0^3,18.0^5,17.0^6,15.0^8,13]テトラコサン-1,3(18),5(17),6,8,10,12,14,19,21,23-ウンデカエン

タイトルに関連する用語 (7件)： アルキル化 ,  チオフェン類 ,  Cn ,  DNTT ,  高性能 ,  薄膜トランジスタ ,  有機半導体