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J-GLOBAL ID：201102236753890339   整理番号：11A0368775

3次元装置シミュレーションによる,絶縁体上のシリコン(SOI)/埋設された酸化物(箱)界面でのトラップの電気的性質の確認

Confirmation of electric properties of traps at silicon-on-insulator (SOI)/buried oxide (BOX) interface by three-dimensional device simulation

著者 (6件)： NAKAJIMA Y ,  SASAKI K ,  HANAJIRI T ,  TOYABE T ,  MORIKAWA T ,  SUGANO T
資料名： PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES
巻： 24  号： 1-2  ページ： 92-95  発行年： 2004年 
JST資料番号： O5342A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (11件)： 3次元 ,  シミュレーション ,  絶縁体 ,  シリコン ,  SOI ,  埋設 ,  酸化物 ,  箱 ,  界面 ,  トラップ ,  電気的性質