文献

J-GLOBAL ID：201102236951738593   整理番号：11A0341343

AlN/Al2O3上のエピタキシャルGaN層への二重エネルギーSiイオン注入法

Dual-energy Si ion implantation in epitaxial GaN layers on AlN/Al2O3

著者 (5件)： OZAKI D ,  EBIHARA J ,  OHSHIMA Y ,  TAKEUCHI R ,  INADA T
資料名： NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS
巻： 257  ページ： 320-323  発行年： 2007年 
JST資料番号： O5033A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlN ,  Al2O3 ,  エピタキシャル ,  GaN ,  エネルギー ,  Si ,  イオン注入法