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J-GLOBAL ID：201102238293562551   整理番号：11A1136531

MMIC用のNiFe-SiO_x磁気粒状膜を有するインダクタ

Inductors with NiFe-SiO_x Magnetic Granular Film for MMIC

著者 (5件)： Kong Cen (State Key Lab. of Electron Thin Film and Integrated Devices, Univ. of Electronics Sci. and Technol. of China, Chengdu) ,  Li Hui (National Key Lab. of Monolithic Integrated Circuits and Modules, Nanjing Electronic Devices Inst., Nanjing) ,  Zhang Wanli (State Key Lab. of Electron Thin Film and Integrated Devices, Univ. of Electronics Sci. and Technol. of China, Chengdu) ,  Chen Chen (National Key Lab. of Monolithic Integrated Circuits and Modules, Nanjing Electronic Devices Inst., Nanjing) ,  Chen Xiaojian (National Key Lab. of Monolithic Integrated Circuits and Modules, Nanjing Electronic Devices Inst., Nanjing)
資料名： Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan  (Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan)
巻： 30  号： 2  ページ： 208-211  発行年： 2010年 
JST資料番号： C2084A  ISSN： 1000-3819  CODEN： GDYJE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： NiFe-SiO_x磁気粒状膜を有する平面インダクタを作成した。このインダクタは「SiN絶縁層/磁気フィルム(NiFe-SiO_x)/SiN絶縁層/金属コイル」の単純構造を有し,そこには,RFマグネトロンスパッタリング法によって作成した平面単一ターン金属コイルとマルチターン金属コイル,およびNiFe-SiO_x磁気粒状膜,そしてPECVDによって蓄積した絶縁層を用いた。この製造プロセスはMMIC統合プロセスと互換性があった。磁気フィルムを伴わないインダクタを,同じプロセスを用いた関連サンプルとして作成した。著者らの計測によって,単一ターンインダクタについては,磁気フィルムが存在するときは,1GHzでインダクタンスが約30%強化され,Q値はどちらの構造でもほぼ同じ状態を維持することを示した。マルチターンインダクタは,コイルの下で,またコイル間で充填した磁気フィルムによって,最も有意にインダクタンスを強化するが,この種のインダクタには下限周波数があった。磁気フィルムが金属コイルのちょうど下にあるインダクタのほうが,コイルの下で,またコイル間で充填した磁気フィルム磁気フィルムを有するインダクタよりも,インダクタンスの増加は少ないが,遮断周波数は大きかった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *インダクタ ,  *MMIC ,  *磁気 ,  マグネトロンスパッタリング ,  インダクタンス ,  生産工程 ,  遮断周波数 ,  コイル状体 ,  プラズマCVD
準シソーラス用語： 製造プロセス ,  金属コイル ,  PECVD

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： MMIC ,  磁気 ,  インダクタ