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J-GLOBAL ID：201102238939212023   整理番号：11A0886031

トンネル電流測定を使用したゲートノードへの抵抗性経路の特性評価

Characterization of a Resistive Path to a Gate Node Using Tunneling Current Measurements

著者 (6件)： HOWARD Clifford (Freescale Semicondactor, Inc, TX) ,  SUBRAMANIAN Sam (Freescale Semicondactor, Inc, TX) ,  ERINGTON Kent (Freescale Semicondactor, Inc, TX) ,  MULDER Randall (Freescale Semicondactor, Inc, TX) ,  TSANG Yuk (Freescale Semicondactor, Inc, TX) ,  BARTLETT John (Freescale Semicondactor, Inc, TX)
資料名： Conference Proceedings from the International Symposium for Testing and Failure Analysis  (Conference Proceedings from the International Symposium for Testing and Failure Analysis)
巻： 36th  ページ： 409-412  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0658B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 130nm以降のデバイス技術においては,正確な故障隔離がますます困難になっている。裏面解析では,時間分解発光(TRLEM)を使用した波形の測定の不確実性が問題となる。従ってより高精度なナノプローブ測定が求められる。本稿では,直接的順方向抵抗測定を使ったゲートノードの高抵抗故障の検出を可能にする酸化膜トンネル電流による高いゲート漏れ電流の測定法について報告した。試料に損傷を与えない電流電圧を注意深く選び,十分なゲートトンネル電流が与えられれば,欠陥を同定し,評価できる。この方法では,トンネル電流は比較的小さいため1MΩオーダーの大きい抵抗だけを同定できる。

シソーラス用語： 電流 ,  トンネル効果 ,  フォールトトレランス ,  *故障検出 ,  マイクロプローブ ,  計測 ,  *電気抵抗 ,  ゲート【半導体】 ,  漏れ電流 ,  酸化膜 ,  故障解析 ,  *超LSI
準シソーラス用語： トンネル電流 ,  ナノプローブ ,  故障隔離 ,  抵抗測定

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： トンネル ,  電流測定 ,  ゲート ,  ノード ,  抵抗性 ,  経路 ,  特性評価